Hynix представила мікросхеми рекордної щільності
Компанія SK Hynix першою на ринку представила мікросхеми пам’яті GDDR5 щільністю 24 Гбіт.
Нові мікросхеми будуть вироблятися за техпроцесом 1anm, який являє собою четверте покоління 10-нанометрового техпроцесу і передбачає використання EUV-літографії.
Hynix говорить про поліпшену виробничу ефективність, на 33% більшу швидкість і на 25% менше енергоспоживання. Найважливіше – нові мікросхеми дозволяють створювати модулі пам’яті об’ємом 48 і 96 ГБ. Саме такі рішення першими отримають нові мікросхеми, але, ясна річ, це продукція для ЦОД, а не для споживчого сегменту.
Крім того, подібні модулі будуть орієнтовані на високопродуктивні сервери для обробки великих даних, роботи з ШІ тощо.
За матеріалами: iXBT.com
Поділитися новиною