530
Samsung почне випускати найшвидшу пам'ять HBM2E в поточному півріччі (фото)
— Технології&Авто
Продукти з пам’яттю типу HBM2E ще не представлені, але SK Hynix і Samsung вже щосили змагаються в швидкостях. Перша минулого року пообіцяла випустити пам’ять зі швидкістю передачі інформації 460 Гбайт/с, друга обіцяє почати випуск пам’яті зі швидкістю передачі інформації 538 Гбайт/с. Одночасно оновився стандарт JEDEC.
Найцікавіше, що в термінології JEDEC позначення «HBM2E» так і не прижилося, хоча Samsung в своєму пресрелізі цю пам’ять відносить до третього покоління. Формально стандарт визнає тільки існування пам’яті типу HBM2, яка з моменту затвердження цього позначення серйозно еволюціонувала. Наприклад, в одному стеку можуть розташовуватися в дванадцять ярусів мікросхеми пам’яті об’ємом по 2 Гбайти, в сукупності це дозволяє розмістити в одному стеку до 24 Гбайт пам’яті. Якщо навколо спеціалізованого процесора розмістити чотири стеки, сукупний обсяг пам’яті досягне 96 Гбайт. Висоту цього стека оновлений стандарт ніяк не регламентує.
У поточному півріччі Samsung обіцяє налагодити серійний випуск мікросхем пам’яті HBM2E з використанням техпроцесу 10-нм класу. Умовне позначення цієї пам’яті – Flashbolt, це вже третє покоління HBM у виробничій програмі корейської компанії. На початковому етапі будуть проводитися мікросхеми, сформовані з восьми ярусів, сукупним об’ємом 16 Гбайт. Штатна швидкість передачі даних в перерахунку на один контакт відповідає стандартній — 3,2 Гбіт/с, що в підсумку дає 410 Гбайт/с при використанні 1024-розрядної шини.
Бажаючи потішити самолюбство, Samsung окремо згадує в пресрелізі, що її пам’ять типу HBM2E здатна передавати інформацію зі швидкістю 538 Гбайт/с (4,2 Гбіт/с на контакт). Це вище, ніж ті 460 Гбайт/с, які минулого року обіцяла подужати SK Hynix. У будь-якому випадку, специфікаціями подібні режими не передбачені, а це означає, що експлуатація на таких швидкостях не гарантується в ста відсотках випадків.
За матеріалами: 3dnews.ru
Поділитися новиною
