0 800 307 555
0 800 307 555

Toshiba повідомила про найщільнішу 3D NAND


Toshiba повідомила про найщільнішу 3D NAND

Тoshiba Memory і Western Digital повідомили подробиці про підготовлену до масового виробництва 96-шарову 1,33-Тбіт пам’яті 3D NAND QLC (запис чотирьох біт в комірку), а також про розробку 128-шарової пам’яті 3D NAND TLC (запис трьох біт в комірку).

Рекордсменом з щільності стала пам’ять із записом чотирьох біт в комірку.

Щільність запису 96-шарового чіпа 3D NAND QLC ємністю 1,33 Тбіт склала 8,5 Гбіт/кв. мм. Це майже в півтора разу більше (якщо точно – на 40 %), ніж у випадку 512-Гбіт 3D NAND TLC. Площа чіпа 3D NAND QLC дорівнює 158,4 кв. мм.

У схемотехніку пам’яті були внесені зміни, які дозволили знизити споживання. Була реалізована схема живлення зі зміщенням, що знизило поріг робочої напруги і дало можливість зменшити напругу живлення. Розробники скоротили час програмування комірок пам’яті на 18%, що прискорило роботу зі сторінками і трохи знизило латентність при роботі з пам’яттю.

Інша доповідь Toshiba Memory і Western Digital розкрила деталі про 128-шарову 3D NAND TLC. Це перша публічна згадка про просування в розробці 128-шарової 3D NAND TLC. Ємність 128-шарового чіпа дорівнює 512 Гбіт, що при площі кристала 66 кв. мм відповідає щільності запису 7,8 Гбіт/кв. мм. Масив комірок на кристалі 128-шарової пам’яті розбитий на чотири частини (плани). Така організація забезпечить серйозне зростання в швидкості запису. Двопланова організація забезпечує швидкість запису на рівні 66 Мбайт/с, а чьотирипланова – 132 Мбайт/с.

  • i

    Якшо Ви помітили помилку, виділіть необхідну частину тексту й натисніть Ctrl+Enter, щоб повідомити про це нам.

Дивись також
Опитування
В Контексті Finance.ua