В Samsung розпочато масове виробництво перших DRAM-чіпів 10-нм класу

Компанія Samsung Electronics першою в галузі освоїла масовий випуск мікрочіпів DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM за технологією 10-нанометрового класу.

Методика 10-нанометрового класу передбачає норми від 10 до 19 нанометрів. У порівнянні з аналогічними виробами 20-нанометрового класу (від 20 до 29 нанометрів) енергоспоживання чіпів може бути знижено на 10-20%. До того ж число кристалів на пластині збільшується на 30%, що дозволяє знизити їх собівартість.

В даний час Samsung застосовує технологію 10-нанометрового класу при виробництві чіпів DDR4 DRAM ємністю 8 Гбіт. На їх основі будуть випускатися енергоефективні модулі оперативної пам’яті, що підтримують високу швидкість передачі інформації (названа цифра в 3200 Мбіт / с).

Надалі, як очікується, технологія 10-нанометрового класу буде задіяна при виготовленні модулів ОЗУ ємністю від 4 до 128 Гбайт. Вони знайдуть застосування в ноутбуках, настільних комп’ютерах, робочих станціях, серверах та іншому обладнанні, в тому числі корпоративного класу.