0 800 307 555
0 800 307 555

Технологічний прорив: США і Японія створюють "оперативну пам'ять майбутнього"

Технології&Авто
2192
Американські і японські компанії спільно фінансують проект, який дозволить в комерційному масштабі виготовляти принципово нову оперативну пам’ять для електронних пристроїв наступного покоління. Зниження енергоспоживання і мініатюризація зроблять її ідеальним компонентом для планшетників і смартфонів майбутнього.
До альянсу, що працює над створенням нового типу “оперативки”, входять такі великі гравці, як Tokyo Electron, Shin- Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi і Micron Technology, а загалом 20 компаній. Вони обіцяють замінити динамічну пам’ять з довільним доступом (DRAM), яку можна знайти в будь-якому сучасному смартфоні або ПК, на так звану MRAM (магніторезистивну пам’ять з довільним доступом).
Розробки в цій області ведуться ще з 90-х рр. минулого століття, і принцип дії MRAM давно вивчений: така пам’ять зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів.
Така схема дозволяє домогтися десятикратного прискорення роботи при десятикратному збільшенні обсягу збережених даних. При цьому різко знижується енергоспоживання. За інформацією японського видання Nikkei, альянс дослідників обіцяє, що плати MRAM споживатимуть втричі менше електрики.
Головним завданням проекту стане пошук можливостей для масового виробництва таких компонентів. Відповіді вчені обіцяють знайти до 2018 р., коли MRAM почнуть випускати в комерційних обсягах.
Цікаво, що вже сьогодні існує компанія Everspin Technologies, яка виготовляє MRAM-плати. Поставки реальних пристроїв на основі цієї технології вона запускає лише зараз, але може стати лідером на ринку, якщо дійсно почне продавати працездатні компоненти в серйозних обсягах, до того як американсько-японський консорціум доб’ється своєї мети.
За матеріалами:
Вєсті Економіка
Якщо Ви помітили помилку, виділіть необхідний текст і натисніть Ctrl+Enter , щоб повідомити про це.

Поділитися новиною

Підпишіться на нас