38
TSMC объявила сроки старта производства 1,4-нм чипов с нанолистами
— Технологии&Авто
TSMC анонсировала 1,4-нм техпроцесс A14 на транзисторах Gate-All-Around (GAA) второго поколения. Массовое производство намечено на 2028 год, а версия с подачей питания с обратной стороны чипа дебютирует в 2029 году.
Во время Североамериканского технологического симпозиума компания TSMC сообщила, что A14 — это новый техпроцесс, разработанный с нуля, поэтому для него не подойдут дизайны чипов, спроектированные для предыдущих техпроцессов. Новая технология построена на транзисторах с нанолистами второго поколения, производимыми с использованием новейшей технологии GAA. Это отличает его от техпроцесса N2P, основанного на платформе N2, и от A16, являющегося улучшенным N2P с системой подачи питания с обратной стороны (Backside Power Delivery — BSPDN).
В отличие от A16, базовая версия A14 не поддерживает архитектуру Super Power Rail. Это снижает стоимость, но ограничивает применение технологии в сценариях, где требуется высокая плотность разведения электропитания. Однако отсутствие BSPDN делает A14 целесообразным выбором тех приложений, в которых преимущества этой технологии минимальны или не проявляются.
Ключевые характеристики техпроцесса A14 компании TSMC, по сравнению с N2.
Несмотря на отсутствие BSPDN, техпроцесс A14 сохраняет высокую эффективность благодаря использованию транзисторов с нанолистами второго поколения. Одним из ключевых компонентов технологии является NanoFlex Pro — усовершенствованная архитектура стандартных ячеек, придающая разработчикам гибкость при конфигурировании логических блоков с учетом трех важных метрик: производительности, энергопотребления и площади кристалла (Power, Performance, Area — PPA).
Хотя компания не раскрывает технических отличий NanoFlex Pro от предыдущей версии NanoFlex, можно предположить, что речь идет о расширенных возможностях DTCO — общей оптимизации проектирования и технологий — а также более точной настройке на уровне ячеек и транзисторов.
По материалам: itechua
Поделиться новостью
