1681
IBM і Samsung оголосили про прорив у галузі напівпровідникових технологій
— Технології&Авто
Компанії IBM і Samsung Electronics спільно оголосили про прорив у розробці напівпровідникових технологій. Він заснований на використанні нової вертикальної транзисторної архітектури, яка відкриває шлях до масштабування за межі нанорівня і має потенціал значного зниження енергоспоживання в порівнянні з транзисторами FinFET.
Закон Мура, згідно з яким кількість транзисторів у мікросхемах приблизно подвоюється кожні два роки, швидко наближається до того, що вважається непереборною перешкодою.
Історично транзистори проектувалися так, щоб «лежати» на поверхні напівпровідникового кристала, при цьому електричний струм тече в горизонтальному напрямку. Нові транзистори, що отримали назву Vertical Transport Field Effect Transistors, або VTFET, формуються перпендикулярно поверхні кристала, і струм в них тече вгору або вниз.
Процес VTFET усуває багато перешкод на шляху подальшого підвищення продуктивності ступеня інтеграції. Він також стосується контактів транзисторів, дозволяючи отримати більший струм з меншими втратами енергії. В цілому нова конструкція націлена на двократне поліпшення продуктивності або на скорочення енергоспоживання на 85% в порівнянні з FinFET.
У прес-релізі, присвяченому прориву, зазначено, що глобальний дефіцит напівпровідникової продукції «підкреслив критично важливу роль інвестицій в дослідження і розробки мікросхем, а також важливість мікросхем у всьому: від обчислень до побутової техніки, пристроїв зв’язку, транспортних систем і критично важливих інфраструктур».
Розробка була виконана фахівцями комплексу Albany Nanotech Complex, який названий «провідною в світі екосистемою для досліджень в сфері напівпровідників, що створює потужний потік інновацій, допомагаючи задовольнити потреби виробництва і прискорити зростання світової індустрії мікросхем».
За матеріалами: iXBT.com
Поділитися новиною
