Hynix представила микросхемы рекордной плотности

18.12.2021, 03:12 — Технологии&Авто

421

Компания SK Hynix первой на рынке представила микросхемы памяти DDR5 плотностью 24 Гбит.

Новые микросхемы будут производиться по техпроцессу 1anm, который представляет собой четвёртое поколение 10-нанометрового техпроцесса и подразумевает использование EUV-литографии.

Hynix говорит о улучшенной производственной эффективности, на 33% большей скорости и на 25% меньшем энергопотреблении. Самое важное — новые микросхемы позволяют создавать модули памяти объёмом 48 и 96 ГБ. Именно такие решения первыми получат новые микросхемы, но, само собой, это продукция для ЦОД, а не для потребительского сегмента.

Кроме того, подобные модули будут ориентированы на высокопроизводительные серверы для обработки больших данных, работы с ИИ и так далее.

По материалам:

iXBT.com

Место для вашей рекламы

Если Вы заметили ошибку, выделите необходимый текст и нажмите Ctrl+Enter , чтобы сообщить нам об этом.

Поделиться новостью

Также по теме

Электромобили и крупные пикапы: Hyundai раскрыл новую стратегию развития в США

Сегодня 04:19

Google представила свою самую быструю ИИ-модель Gemini 3 Flash для работы с фото и видео

Сегодня 03:21

139