449
Samsung обіцяє розпочати випуск 4-нм чіпів 2020 року
— Технології&Авто
Компанія Samsung Electronics провела конференцію, в ході якої розповіла про плани з освоєння нових технологічних процесів. Підкреслимо, що це вже не чутки і витоки, а цілком обґрунтована «дорожня карта». Фактично керівництво до дії. Головним для нас і для галузі стало повідомлення, що ризикове виробництво з нормами 4 нм компанія Samsung збирається почати в 2020 році.
Для випуску 4-нм рішень буде використовуватися EUV-проекція з довжиною хвилі 13,5 нм. В даний момент компанія працює з експериментальними EUV-сканерами, і вона переконалася, що дослідне обладнання цілком справляється з навантаженням у вигляді 1000 300-мм пластин (підкладок) на добу. Для виправданого комерційного виробництва потрібна продуктивність 1500 пластин на добу, що буде досяжно після появи сканерів з випромінювачами потужністю 250 Вт.
У компанії впевнені, що ця проблема вирішиться в найближчому майбутньому. Тим самим Samsung стверджує, що у виробництві вона почне використовувати EUV-сканери вже в 2018 році для масового випуску чіпів з використанням другого покоління 7-нм техпроцесу (LPP). Вона стане першою в світі компанією, яка перейде на EUV-літографію.
Слід сказати, що для 4-нм техпроцесу транзистори змінять свою архітектуру. Це буде, як висловилися у Samsung, архітектура «post FinFET». Сьогодні канал FinFET транзистора під затвором являє собою монолітну вертикальну конструкцію «плавець» або містить кілька ребер для підвищення рівня струму, що пропускається через транзистор. Надалі канал буде з усіх боків оточений затвором — це так звана структура gate-all-around FET (GAAFET). В такій структурі канали виконані як нанодроти або наносторінки. Транзистори Samsung з початком випуску 4-нм рішень будуть використовувати одну з версій каналів у вигляді наносторінок. У компанії називають це транзисторами multi-bridge channel FET (MBCFET) або вертикальна структура з багатьма перемичками.
До 2020 року компанія послідовно освоїть техпроцес з нормами 8 нм (LPP), що відбудеться в поточному році, і техпроцес з нормами 7 нм (LPP), про який вище вже сказано. Наступними технологічними процесами стануть 6-нм і 5-нм техпроцеси LPP. Техпроцес з нормами 6 нм компанія планує впровадити у виробництво в 2019 році. При всьому при цьому Samsung впевнена, що 10-нм техпроцес стане «рішенням на роки» і буде багато років найпопулярнішим серед розробників техпроцесом.
Нарешті, компанія підтвердила намір почати в 2019 році випуск напівпровідників з нормами 18 нм на пластинах FD-SOI. Сьогодні на пластинах з ізолятором з повністю збідненого кремнію компанія випускає 28-нм чіпи. Перехід з цього техпроцесу на 18-нм обіцяє на 40% знизити споживання рішень і на 20% збільшити продуктивність, попутно заощадивши на площі кристала.
За матеріалами: 3dnews.ru
Поділитися новиною
